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目录1

序1

第一版序（节录）1

第一章 半导体的基本性质1

1.1 关于半导体的早期工作1

1.2 半导体的应用7

1.3 半导体的基本理论11

1.4 载流子密度的控制24

第二章 晶体中的能级27

2.1 自由电子的波动力学27

2.2 在周期性势场中的运动28

2.3 能带的形状33

2.4 正空穴42

2.5 在外力场作用下晶体中电子和空穴的运动43

2.6 能级图48

2.7 晶体中电子和空穴运动的阻力50

3.1 不完整性的类型52

第三章 晶体中的杂质和不完整性52

3.2 半导体的化学键合59

3.3 确定半导体的另一种途径67

3.4 半导体中的替代式杂质68

3.5 激子81

第四章 热平衡中的载流子浓度87

4.1 电子在各能级中的分布87

4.2 本征半导体90

4.3 有杂质能级的半导体97

第五章 电子输运现象110

5.1 与晶体不完整性的碰撞——弛豫时间τ110

5.2 恒定的弛豫时间τ115

5.3 弛豫时间是E的函数131

5.4 极低温度下的电导161

第六章 半导体中的热效应165

6.1 热导率165

6.2 温差电动势率172

6.3 热磁效应179

6.4 简并化的情形191

6.5 强磁场192

6.6 磁效应的相对大小193

第七章 电子和正空穴的扩散196

7.1 非均匀半导体196

7.2 爱因斯坦关系197

7.3 对热平衡的偏离200

7.4 电子-空穴复合203

7.5 非本征材料（n？p或p？n）中的扩散和漂移205

7.6 少数载流子脉冲在电场中的漂移216

7.7 近本征材料218

7.8 各种接触现象的比较229

7.9 pn结230

7.10 n+n结和p+p结246

7.11 表面效应249

7.12 金属-半导体接触254

7.13 电子和空穴的漂移迁移率260

7.14 异质结262

8.2 散射机制267

第八章 电子和空穴的散射267

8.1 状态的改变267

8.3 晶格振动散射268

8.4 声子274

8.5 晶格散射的弛豫时间278

8.6 极性半导体中光学模式的散射283

8.7 谷间散射285

8.8 电子间的散射286

8.9 电离杂质散射287

8.10 中性杂质散射292

8.11 位错散射296

8.12 散射对迁移率的影响298

第九章 电子和空穴的复合299

9.1 复合机制299

9.2 辐射复合300

9.3 俄歇复合305

9.4 通过陷阱的复合308

9.5 通过激子的复合316

9.6 在位错上的复合318

9.7 在低温下同施主或受主的复合319

9.8 表面复合320

9.9 在丝状样品和薄片样品中的平均寿命324

第十章 半导体中的光学效应和高频效应329

10.1 半导体的光学常数329

10.2 自由载流子吸收332

10.3 等离子体共振341

10.4 磁场中的高频效应342

10.5 基本吸收349

10.6 激子吸收370

10.7 杂质吸收378

10.8 晶格吸收382

10.9 光电导387

10.10 横向光电压402

10.11 光磁效应403

10.12 光子拖曳407

10.13 电吸收和电反射408

10.14 来自半导体的辐射的发射414

第十一章 能带结构和有效质量近似421

11.1 有效质量概念421

11.2 布洛赫函数和瓦尼尔函数422

11.3 能带结构的计算方法423

11.4 能带结构的计算428

11.5 有效质量近似429

11.6 磁量子化433

12.1 分布函数的修正435

第十二章 输运和光学性质的强电场与磁场效应435

12.2 电子和晶格之间的能量交换436

12.3 热电子442

12.4 转移电子效应447

12.5 强磁场中电子运动的量子理论453

12.6 电子自旋引起的能级劈裂460

12.7 磁场对带间跃迁的影响461

12.8 强磁场中的输运现象466

12.9 载流子冻结472

第十三章 半导体材料474

13.1 用于固态器件和基础研究的材料474

13.2 半导体材料的制备和测量475

13.3 硅和锗477

13.4 其它元素半导体483

13.5 Ⅲ-Ⅴ族化合物485

13.6 Ⅱ-Ⅵ族化合物490

13.7 三元和四元化合物495

13.8 窄能隙半导体498

13.9 氧化物半导体502

13.10 耐高温半导体506

13.11 超导电性半导体507

13.12 磁性半导体508

13.13 有机半导体509

13.14 低迁移率半导体510

13.15 其它半导体511

14.1 激子分子513

第十四章 一些专题513

14.2 激子凝聚成电子-空穴滴515

14.3 极化子和极化激元518

14.4 重掺杂半导体524

14.5 高压效应533

14.6 半导体中的激光作用537

14.7 自旋反转散射和自旋反转激光器545

14.8 晶格振动的拉曼散射550

15.1 新的理论概念551

第十五章 非晶态半导体551

15.2 电子态553

15.3 点阵振动557

15.4 非晶态Si和Ge558

15.5 其它的非晶态元素半导体562

15.6 其它简单的非晶态化合物半导体563

15.7 玻璃态半导体563

15.8 结束语569

参考书目571