纳米CMOS集成电路 从基本原理到专用芯片实现2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载

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第1章 基本原理1

1.1引言1

1.2场效应原理1

1.3反型层MOS晶体管3

1.4推导简单的MOS公式12

1.5背偏置效应（背栅效应、体效应）和正偏置效应14

1.6表征MOS晶体管行为的参数16

1.7不同类型的MOS晶体管17

1.8寄生MOS晶体管18

1.9 MOS晶体管符号19

1.10 MOS结构电容20

1.11结论25

1.12参考文献25

1.13练习题25

第2章 几何、物理和电场按比例缩小对MOS晶体管行为的影响29

2.1引言29

2.2零电场时的迁移率29

2.3载流子迁移率的减小30

2.4沟道长度调制33

2.5短沟和窄沟效应34

2.6温度对载流子迁移率及阈值电压的影响37

2.7 MOS晶体管的漏电机理38

2.8 MOS晶体管模型44

2.9结论44

2.10参考文献45

2.11练习题45

第3章 MOS器件的制造47

3.1引言47

3.2用做起始材料的各种衬底（圆片）48

3.3 MOS工艺中的光刻53

3.4刻蚀67

3.5氧化68

3.6淀积71

3.7扩散和离子注入73

3.8平坦化75

3.9基本的MOS工艺78

3.10结论91

3.11参考文献91

3.12练习题93

第4章 CMOS电路94

4.1引言94

4.2基本的nMOS反相器94

4.3 CMOS电路的电气设计102

4.4数字CMOS电路111

4.5 CMOS输入和输出（I/O）电路120

4.6版图设计过程122

4.7结论129

4.8参考文献129

4.9练习题130

第5章 特殊电路、器件和工艺133

5.1引言133

5.2 CCD和CMOS图像传感器133

5.3功率MOSFET晶体管137

5.4 BICMOS数字电路140

5.5结论143

5.6参考文献144

5.7练习题144

第6章 存储器145

6.1引言145

6.2串行存储器147

6.3按内容寻址存储器（CAM）147

6.4随机存取存储器（RAM）147

6.5非挥发性存储器165

6.6嵌入式存储器175

6.7各种存储器的分类177

6.8结论178

6.9参考文献178

6.10练习题180

第7章 超大规模集成（VLSI）与专用集成电路（ASIC）181

7.1引言181

7.2数字IC182

7.3 VLSI的抽象层次185

7.4数字VLSI设计192

7.5 ASIC的应用199

7.6 VLSI和ASIC的硅芯片实现200

7.7结论219

7.8参考文献219

7.9练习题220

第8章 低功耗——IC设计的热点221

8.1引言221

8.2电池技术概述221

8.3 CMOS功耗的来源223

8.4降低功耗的工艺选择223

8.5降低功耗的设计选择229

8.6计算能力与芯片功耗对比——对尺寸缩小的展望250

8.7结论251

8.8参考文献252

8.9练习题254

第9章 纳米CMOS设计的稳定性：信号完整性、扰动和可靠性255

9.1引言255

9.2时钟产生、时钟分布及关键时序256

9.3信号完整性263

9.4扰动275

9.5可靠性280

9.6设计组织291

9.7结论292

9.8参考文献292

9.9练习题294

第10章 测试、成品率、封装、调试和失效分析295

10.1引言295

10.2测试295

10.3成品率307

10.4封装313

10.5第一块硅芯片可能出现的问题326

10.6第一块硅芯片的调试和失效分析329

10.7结论345

10.8参考文献345

10.9练习题346

第11章 尺寸缩小对MOS IC设计及半导体技术路线的影响347

11.1引言347

11.2晶体管尺寸缩小的影响348

11.3互连线尺寸缩小的影响349

11.4尺寸缩小对整个芯片性能和稳定性的影响351

11.5尺寸缩小进展的可能限制因素355

11.6结论359

11.7参考文献359

11.8练习题360

索引361