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第1章 概论1

1.1硅材料工业的发展1

1.2半导体市场及发展2

1.3中国扩建新建多晶硅厂应注意的问题3

本章小结5

习题5

第2章 半导体材料基本性质6

2.1半导体材料的分类及性质6

2.2硅的物理化学性质8

2.3硅材料的纯度及多晶硅标准10

本章小结11

习题12

第3章 晶体几何学基础13

3.1晶体结构13

3.2晶向指数16

3.3晶面指数16

3.4立方晶体17

3.5金刚石和硅晶体结构19

3.6倒格子22

本章小结22

习题23

第4章 晶体缺陷24

4.1点缺陷24

4.2线缺陷26

4.3面缺陷30

4.4体缺陷31

本章小结32

习题32

第5章 能带理论基础33

5.1能带理论的引入33

5.2半导体中的载流子35

5.3杂质能级36

5.4缺陷能级38

5.5直接能隙与间接能隙38

5.6热平衡下的载流子39

本章小结45

习题45

第6章 p-n结46

6.1 p-n结的形成46

6.2 p-n结的制备47

6.3 p-n结的能带结构48

6.4 p-n结的特性49

本章小结50

习题50

第7章 金属-半导体接触和MIS结构51

7.1金属-半导体接触51

7.2欧姆接触55

7.3金属-绝缘层-半导体结构（MIS）56

本章小结57

习题57

第8章 多晶硅材料的制取58

8.1冶金级硅材料的制取58

8.2高纯多晶硅的制取59

8.3太阳能级多晶硅的制取61

本章小结62

习题62

第9章 单晶硅的制备63

9.1结晶学基础63

9.2晶核的形成65

9.3区熔法69

9.4直拉法72

9.5杂质分凝和氧污染80

9.6直拉硅中的碳85

9.7直拉硅中的金属杂质86

9.8磁拉法（MCz）89

9.9 CCz法（连续加料法）93

本章小结96

习题97

第10章 其他形态的硅材料98

10.1铸造多晶硅98

10.2带状硅材料110

10.3非晶硅薄膜112

10.4多晶硅薄膜116

本章小结118

习题119

第11章 化合物半导体材料120

11.1化合物半导体材料特性120

11.2砷化镓（GaAs）122

本章小结131

习题131

第12章 硅材料的加工132

12.1切去头尾132

12.2外径滚磨133

12.3磨定位面（槽）134

12.4切片136

12.5倒角（或称圆边）139

12.6研磨140

12.7腐蚀142

12.8抛光144

12.9清洗148

本章小结150

习题151

附录152

附录1 常用物理量152

附录2 一些杂质元素在硅中的平衡分凝系数、溶解度152

参考文献153