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引言1

第一章 理想的离子点阵3

1. 引言3

2. 离子晶体的凝聚力；理论4

3. 凝聚力；与观测到的能量比较10

4. 极键和同极键12

5. 介电常数13

5.1 离子的极化率13

5.2 静电场的介电常数23

6. 离子晶体中的点阵振动28

1. 各种类型的点阵缺陷32

第二章 在热平衡状态下的点阵的缺陷32

2. 无序的程序；精确的公式36

3. 点阵缺陷的扩散40

4. 极性晶体的电解电导率44

5. 用点阵缺陷理论的概念解释离子电导48

6. 迁移率及激活能54

7. 激活能的理论计算66

8. 具有异常高的离子电导率的晶体72

9. 附录：一个荷电粒子的扩散系数D和迁移率υ之间的爱因斯坦关系的理论推导74

1. 在周期场中的电子75

第三章 极性晶体中的电子75

2. 用于讨论固体中凝聚力的一些方法；原子模型(海脱莱-伦敦模型)和集体电子模型(布罗哈模型)76

2.1 正空穴79

3. 极性晶体中的电子81

4. 离子晶体中的正空穴86

5. 电子陷住在晶体点阵中的不规则处93

5.1 电子陷住在点阵的缺陷中93

5.2 表面能级99

5.3 在一个理想点阵中兰道的被陷住电子99

6. 非金属的光吸收102

7. 卤化硷金属晶体的紫外吸收光谱108

8. 其他极性晶体的吸收光谱114

9. 由于杂质和被陷电子所产生的吸收光谱116

10. 吸收系数的绝对大小118

11. 光电导118

12. 在绝缘体中电子的平均自由程119

第四章 卤化硷金属中的色中心及其有关现象125

1. 成分不合乎化学比的晶体125

2. 色中心的一个模型127

3. 陷住在一个空阵点上的一个电子的吸收光谱130

4. 绝缘晶体中的光电导133

5.1 在具有色中心的卤化硷金属中140

5. 光电子的移程140

5.2 在不包括卤化硷金属在内的其他一些晶体中的光电子148

6. 光电流和温度的关系150

6.1 卤化硷金属150

6.2 其他绝缘晶体154

7. F中心的徒动157

8. 与蒸气成热平衡的晶体161

9. 由υ中心形成F中心165

第五章 半导体和绝缘体170

1. 半导体的类型170

2. 电导率随温度的变化175

3. 热激活能与光激活能之间的关系179

4. 半导体的一些实验结果的讨论182

5. 半导体中电子的迁移率186

6. 金属和绝缘体之间的接触187

7. 金属与半导体之间的接触193

8. 金属与半导体之间的接触处的整流性质196

9. 绝缘体中的次级光电流205

10. 半导体中的光电流208

11. 光生伏打效应用与氧化物光电池的性质213

12. 极强电场中的电导216

13. 介电击穿218

1. 导论223

第六章 发光及能量的耗散223

2. 余辉的衰变230

3. 能量耗散为热能的机构；发光的条件，以及荧光辐射与温度的关系241

4. 非光电导的杂质激活燐光体；由铊激活的卤化硷金属燐光体245

第七章 卤化银中的光化学过程及照相潜象249

1. 卤化银的光化学还原作用249

2. 印出效应250

3. 银微粒的生长速率254

4. 潜象256

5. 化学显象258

6. 潜象的大小260

7. 低温对潜象形成的效应261

8. 温度对初级过程的影响264

9. 染色敏化264

10. 黑夏尔效应265

11. 倒易律的失效268

第八章 涉及离子与电子二者输运的过程272

1. 金属的氧化；沾污反应272

2. 离子晶体的还原285

2.1 核心的形成289

附录：通用的离子半径表293

名词索引295