图书介绍

硅中部分位错演化的分子模拟2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载

王超营，武国勋，李晨亮，周跃发著著
出版社：哈尔滨：哈尔滨工程大学出版社
ISBN：9787566109392
出版时间：2014
标注页数：89页
文件大小：14MB
文件页数：96页
主题词：计算机模拟－应用－化合物半导体

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图书目录

第1章绪论1

1.1 硅中位错的研究背景、目的和意义1

1.2 硅锗异质结构简介2

1.3 失配部分位错的微观结构6

1.4 本书的主要内容10

第2章分子模拟原理及方法简介11

2.1 引言11

2.2 第一性原理的基本理论11

2.3 紧束缚理论（TB）16

2.4 分子动力学方法17

2.5 最低能量路径寻找方法21

2.6 周期性边界条件22

2.7 本章小结23

第3章 30度部分位错的运动特性24

3.1 引言24

3.2 分子动力学参数设定25

3.3 30度部分位错的弯结模型25

3.4 弯结的运动过程26

3.5 弯结的迁移势垒31

3.6 结果讨论33

3.7 本章小结33

第4章 90度部分位错的运动特性34

4.1 引言34

4.2 DP结构的运动特性35

4.3 SP结构的运动特性40

4.4 本章小结46

第5章 90度部分位错重构缺陷的运动特性47

5.1 引言47

5.2 模型建立及计算过程48

5.3 单周期结构中重构缺陷的运动特性49

5.4 双周期结构中重构缺陷的运动特性53

5.5 重构缺陷与弯结的相互作用55

5.6 本章小结56

第6章空位的第一性原理及经验势函数的对比研究57

6.1 引言57

6.2 计算方法及参数设定58

6.3 单空位的结构特性及形成能60

6.4 双空位的结构特性及形成能62

6.5 六边形空位环的结构特性及形成能64

6.6 计算结果分析65

6.7 本章小结66

第7章 30度部分位错与空位的相互作用67

7.1 引言67

7.2 计算方法及参数设置67

7.3 分子动力学模型68

7.4 30度部分位错与单空位的相互作用70

7.5 30度部分位错与双空位的相互作用72

7.6 30度部分位错与空位环的相互作用75

7.7 30度部分位错与空位相互作用的对比研究79

7.8 本章小结82

参考文献83