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目录7

一、高频大功率晶体管的技术展望7

1.1　高频大功率化是怎样发展起来的7

1.1.1 高频大功率化的基本器件结构7

1.1.2　制造技术的进展14

1.1.3　封装和寄生元件17

1.2　高频大功率晶体管特性将来的趋向22

二、晶体管的基本工作原理28

2.1　pn结28

2.1.1　pn结的能带结构29

2.1.2　空间电荷区电位和电场的分布32

2.1.3　pn结的电压电流特性35

2.1.4　空间电荷层的电容36

2.1.5　扩散电容37

2.1.6　电子雪崩击穿38

2.2　晶体管的工作原理42

2.2.1　低注入电平直流电流放大系数44

2.2.2　高注入电平直流电流放大系数46

2.2.3　电流放大系数的频率特性和截止频率49

三、高频大功率晶体管的设计57

3.1　设计理论的基本概念57

3.1.1　小面积双重扩散型晶体管的基区渡越时间57

3.1.2　性能指数和等效电路59

3.2.1　最佳设计问题66

3.2　大功率化的结构设计66

3.2.2　改善性能指数的方法71

3.2.3　单元晶体管的并联连接72

3.2.4　寄生元件的减小76

3.2.5　单元晶体管的布置方法77

3.3　制造技术的若干问题80

四、高频大功率晶体管的特性及其测量方法83

4.1　高频大功率晶体管设计项目概要83

4.1.1　设计高频大功率晶体管放大器的必要条件83

4.2.1　击穿电压及其测量85

4.2　晶体管直流特性参数及其测量85

4.2.2　最大电流额定值及其测量89

4.2.3　直流电流放大系数hFE与电流的关系及其测量91

4.2.4　集电极饱和压降VCE（sat）及其测量93

4.2.5　直流集电极体电阻RSC的测量94

4.3　高频参量及其测量95

4.3.1 高频hfe的测量95

4.3.2　集电极电容Cob的测量100

4.3.3　高频大功率晶体管的输入输出阻抗的测量100

4.4　高频大功率晶体管热阻的重要性及其测量101

4.4.1　热阻的测量102

4.4.2　使用红外线扫描技术测量热阻104

4.4.3　计算结温的方法105

4.4.4　高频大功率晶体管的二次击穿现象110

4.5　输出特性及其限制的主要因素，丙类放大器设计基础115

4.5.1 高频大功率乙类放大器基础115

4.5.2　高频饱和压降RFVCE（sat）的测量116

4.5.3　丙类放大器基础118

4.5.4　丙类放大器的图解法121

4.5.5　高频大功率晶体管输出功率的测量124

4.5.6 晶体管功率放大器的稳定性问题128

4.5.7　丁类晶体管放大128

5.1　高频大功率晶体管133

五、高频大功率晶体管的应用133

5.2　电路设计的基本事项134

5.2.1 散热设计134

5.2.2　耐压和电源电压的关系135

5.2.3　对于二次击穿现象的考虑136

5.2.4 对电流额定值的考虑137

5.2.5　公共端电感的影响137

5.2.6　扼流圈138

5.2.7　旁路电容器140

5.2.8　去耦140

5.2.10　其他注意事项141

5.2.9 电源容量141

5.3　乙类和丙类放大器142

5.4　耦合电路144

5.4.1　滤波作用144

5.4.2 匹配电路的作用147

5.4.3　耦合电路的一般表示152

5.4.4　耦合电路实例155

5.4.5　耦合电路设计中的注意事项178

5.5　丙类功率放大电路的设计举例193

5.5.1 使用2SC320的150MHz、13.5V、1.5W丙类放大电路193

5.5.2 使用2SC637的150MHz、13.5V、7W丙类放大电路197

5.5.3 使用2SC638的150MHz、13.5V、12W丙类放大电路198

5.5.4 使用2SC890的500MHz、13.5V、1W丙类放大电路201

5.5.5　多级放大电路举例205

5.6　倍频206

5.6.1 利用非线性电阻（或电导）倍频206

5.6.2　利用变容二极管倍频207

5.6.3　放大倍频209

5.6.4　倍频电路实例215

5.7　其他事项219

5.7.1 负载不匹配时晶体管的保护219

5.7.2　收发转换电路220

5.7.3　调幅电路221