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Part F 晶体生长及缺陷模型3

36熔体生长晶体体材料的传导和控制3

36.1运输过程的物理定律5

36.2熔体的流动结构7

36.3外力对流动的控制16

36.4前景26

参考文献26

37 Ⅲ族氮化物的气相生长31

37.1 Ⅲ族氮化物的气相生长概述32

37.2 AlN/GaN气相淀积的数学模型36

37.3气相淀积AlN/GaN的表征39

37.4 GaN的IVPE生长模型——个案研究46

37.5气相GaN/AlN膜生长的表面形成62

37.6结语63

参考文献64

38生长直拉硅晶体中连续尺寸量子缺陷动力学69

38.1微缺陷的发现71

38.2无杂质时的缺陷动力学72

38.3有氧时的直拉缺陷动力学92

38.4有氮时的直拉缺陷动力学101

38.5直拉硅单晶中空位的横向合并109

38.6结论116

参考文献120

39熔体基底化合物晶体生长中应力和位错产生的模型123

39.1综述123

39.2晶体生长过程124

39.3半导体材料的位错分布125

39.4位错产生的模型127

39.5晶体的金刚石结构131

39.6半导体的变形特性134

39.7 Haasen模型对晶体生长的应用138

39.8替代模式139

39.9模型概述和数值实现148

39.10数值结果150

39.11总结162

参考文献163

40 BS和EFG系统中的质量和热量传输167

40.1杂质分布的基预测模型——垂直BS系统168

40.2杂质分布的基预测模型——EFG系统177

参考文献188

Part G 缺陷表征及技术193

41晶体层结构的X射线衍射表征193

41.1 X射线衍射194

41.2层结构的基本直接X射线衍射分析195

41.3设备和理论思考200

41.4从低到高的复杂性分析实例201

41.5快速分析207

41.6薄膜微映射208

41.7展望209

参考文献210

42晶体缺陷表征的X射线形貌技术213

42.1 X射线形貌的基本原则214

42.2 X射线形貌技术的发展历史216

42.3 X射线形貌技术和几何学218

42.4 X射线形貌技术理论背景223

42.5 X射线形貌上缺陷的对比原理228

42.6 X射线形貌上的缺陷分析233

42.7目前的应用状况和发展237

参考文献238

43半导体的缺陷选择性刻蚀241

43.1半导体的湿法刻蚀：机制242

43.2半导体的湿法刻蚀：结构和缺陷选择性247

43.3缺陷选择性刻蚀方法249

参考文献261

44晶体的透射电子显微镜表征265

44.1缺陷的TEM表征的理论基础265

44.2半导体系统TEM应用的典型实例281

44.3结语：目前的应用状况和发展302

参考文献303

45点缺陷的电子自旋共振表征309

45.1电子自旋共振310

45.2 EPR分析312

45.3 ERP技术范围322

45.4辅助仪器和支持技术326

45.5总结与最终思考333

参考文献334

46半导体缺陷特性的正电子湮没光谱表征339

46.1正电子湮没光谱340

46.2点缺陷的识别及其电荷状态348

46.3缺陷、掺杂和电子补偿353

46.4点缺陷和生长条件357

46.5总结364

参考文献364