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（上）3

战略展望3

微电子技术发展的回顾与展望3

VLSI的极限和器件图形微细化9

集成电路技术的进展与展望15

器件物理25

三硫化二锑多晶薄膜的光电导性25

晶粒间层势垒在硫化铅多晶薄膜光电导中的作用30

P型硅MOS结构C（t）不稳定性研究36

用MIS结构C（t）特性同时决定半导体表面层内及体内的少子寿命45

绝缘衬底上硅膜的激光侧向外延55

关于MOS结构深耗尽c（v）特性的转折现象59

Si/SiO2界面态研究中辅以脉冲和恒定红外光照的脉冲Q（V）法62

硅耗尽层少子产生率的强电场效应73

瞬态退火注砷硅亚稳态浓度的后热处理特性研究85

硅耗尽表面准二维系统室温电子隧道能谱92

MOS界面态电荷瞬态谱方法102

FLOTOX型EEPROM存贮管的擦写特性与理论分析114

MISIS结构的电特性和C（V）研究123

MOS器件三维数值模拟131

氮离子注入形成Si3N4埋层构成的SiO2/Si/Si3N4/Si多层结构的研究138

对MOS器件与虚拟节点法的三维分析方程146

零偏源MOS结构的栅电荷弛豫机制及近少子带边界面态分布的瞬态谱测定162

注砷硅快速热退火过程研究174

再结晶SOI中应力的拉曼谱特征182

定域SOI区熔再结晶研究187

通过增加硅层厚度的横向种子外延增强的区熔再结晶195

一种新的有沟道注入的短沟MOSFET的阈电压解析模型199

高速区熔再结晶形成SiO2上的无缺陷硅单晶膜205

亚微米MOSFET热载流子退变的二维计算机模拟和分析216

考虑碰撞电离下的亚微米MOSFET的二维数值模拟和分析223

用沟道产额角分布技术研究硅中超固溶度激活杂质的失活机理228

快速热退火硅中微缺陷分析235

漏雪崩应力下热载流子注入引起的MOSFET退变特性研究240

不同应力条件下亚微米MOSFET's热载流子退变特性实验研究246

77K NMOSFET沟道热载流子注入效应253

BMHMT-Bi-MOS混合模式晶体管258

BMHMT：器件与模型265

77K Fowler-Nordheim电子注入和栅氧化层俘获特性研究269

衬底正偏的MOSFET的近似模型275

集成电路技术283

MOS LSI自给衬偏电路的研究与改进283

T－多值代数及其电路292

用于实时专家系统的CMOS电流型高速模糊逻辑微处理器295

用于二进制图像处理的浮栅模拟MOS管神经网络305

具有神经网络结构的模糊控制器的芯片实现314

基于模糊逻辑神经网络的智能学习控制研究322

一种电流模式的汉明神经网络328

基于本征晶体管特性和具有集合计算能力的物理系统333

应用神经网络和模糊逻辑实现手写数字识别337

基于模糊向量离散化和模糊逻辑的语音识别344

用于孤立字识别的扇形矩阵向量离散化和模糊逻辑351

用于模式识别的多端输入模糊处理器359

一种全对称高分辨精度的多端电流型MAX门和MIN门电路363

基于自学模糊逻辑神经网络系统的智能控制器370

模糊逻辑语音识别中两种隶属关系和多级因子函数的对比377

具有不同阈值和多值权重的改进汉明神经网络383

一种模拟集成电路Hamming神经网络及其应用388

一种开关电容模糊控制器395

系统集成技术405

多晶硅应变膜压力传感器405

一种压力传感器的新型结构411

硅盒结构集成MOS环振式压力传感器422

微型静电开关的制作工艺研究和它在V-F转换器中的应用427

基于压阻单晶硅膜的触觉传感器阵列432

微多晶硅梁开关振荡器439

阵列式CMOS磁场传感器446

一种结构改进了的硅基微静电马达451

一种硅基集成微晃动马达455

硅基微静电马达459

微机械梁内应力测量方法的研究464

微机电系统中薄膜机械特性的测量方法研究473

微马达转速的片上检测477

微加工中薄膜机械特性测量的新方法：梁牵引电压法和长梁挠曲法484

压力传感器温度漂移补偿的一种新方法496

一种硅基集成微马达501

（100）硅KOH各向异性腐蚀中凸角补偿的新方法506

应用纹膜技术的硅电容麦克风的设计与制作512

纹膜结构用于电容式硅微麦克风的研究526

（中）537

战略展望537

21世纪微电子技术发展展望537

铁电-硅微集成系统542

用于通信领域中的MEMS器件550

硅基铁电信息存储技术557

微麦克风的研究及展望563

从微电子学到纳电子学——电子科学技术的又一次革命568

器件物理577

深亚微米沟道δ掺杂NMOSFET结构特性和设计577

超薄氮氧化硅（SiOxNy）栅NMOSFET中GIDL效应的研究583

SOI MOSFET自加热效应的建模589

多晶提升源漏的MOSFET的优化592

一种新型的全抑制浮体和自加热效应的DSOI结构595

深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计601

包含多子带结构的MOS器件开启电压量子力学效应修正模型607

包含自加热效应的短沟道SOI MOSFET直流模型614

MOSFET反型层迁移率的普适性讨论620

深亚微米MOSFET短沟效应的变分法分析626

量子化效应对深亚微米MOSFET亚阈区特性的影响633

亚微米及深亚微米常规和LDD MOSFET性能研究638

亚0.1μm栅衬互连体硅MOSFET特性研究644

MOSFET衬底电流模型在深亚微米尺寸下的修正651

MOS结构有效态密度方法的量子力学校正656

基于有效态密度的MOS结构电荷控制模型669

应用变分方法的统一MOSFET短沟道因数674

MOS结构反型层中量子力学效应的简化研究方法681

一种新的MOS结构量子化效应修正模型687

利用不均匀网格的比例变换方法求解薛定谔方程695

MOS结构反型层和积累层建模中三角电势阱近似的正确性与适用性701

MOS反型层中基于空间电荷电容的电荷电压解析模型709

包含全部量子力学效应的现代MOSFET综合解析电荷控制和I-V模型717

pMOSFET量子力学效应阈值漂移的表征与建模725

一种包含量子力学效应的MOS结构反型层电荷新模型735

MOS结构中量子化反型层的简并746

MOS结构阈值区域的量子力学效应的综合分析754

硅基PZT铁电薄膜的制备与性能研究766

钛酸铅铁电薄膜研究772

MOS结构反型层中载流子分布和栅电容的表征与建模776

充分考虑量子力学效应的亚微米和深亚微米MOSFET解析电荷控制和I-V模型792

硅薄膜晶格热导率分析807

硅基铁电薄膜的电性能研究812

集成电路技术819

一种用于模式识别的多输入模糊处理器819

一种面向VLSI实现的手写体数字识别系统824

单体模糊神经网络：在智能控制中的应用及VLSI实现834

双MOS晶体管等效电阻839

可编程模糊逻辑控制器芯片的设计845

纹膜结构微麦克风的动态特性：使用EDA/CAD工具进行Top-down设计852

多值模糊最小最大神经网络分类器的递归算法861

系统集成技术871

单芯片纹膜微型硅电容麦克风的理论和实验研究871

集成流体系统的单芯片制作883

清华大学MEMS技术的研究发展894

三维MEMS结构的单芯片制作新技术903

微流量泵与微流量传感器的系统集成908

新型双轴电容式微加速度传感器优化设计研究912

利用多层光刻胶工艺的准LIGA技术918

硅集成微型泵系统的优化设计和兼容工艺研究923

铁电-硅集成微麦克风和扬声器研究929

具有多晶固定轴承的晃动马达制作工艺934

改进微静电马达的摩擦与磨损939

用于坡莫合金微结构阵列电沉积的等离子干法刻蚀的P型硅微模944

一种新型硅基PT/PZT/PT夹心结构的电性能研究950

一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究955

一种新型集成微麦克风和扬声器的设计961

基于微电子机械系统技术的高灵敏度电容式微传声器的研制966

集成MOS力敏运放压力传感器975

一种新的FET型铁电非挥发存储器的单元和阵列结构980

一种改进的铁电电容行为模型987

Bi2Ti2O7基金属-铁电-半导体FET研究992

微机械平面螺旋电感的Q值分析与结构优化996

硅基PZT薄膜的制备与刻蚀工艺研究1002

用于微声学器件的新型单芯片纹膜的动态特性1007

其他1017

光刻胶灰化工艺与深亚微米线条的制作1017

（下）1025

战略展望1025

关于摩尔定律延伸的探讨1025

微电子技术发展与物理学1033

GMR生物传感器研究进展1046

从ULSI芯片的性能能量效率展望21世纪信息电子学的发展1053

器件物理1077

溶胶凝胶法制备的Mn掺杂BST薄膜的XPS特性1077

用于MEMS的（100）取向PZT薄膜的制备1084

溶胶凝胶法制备的硅基BST薄膜的特性1091

用于集成器件的硅基压电薄膜的制备和刻蚀1098

薄膜体声波谐振器的建模和仿真1105

厚度均匀的BST铁电厚膜及其在射频MEMS器件中的应用1112

氧注入制作的SOI中埋氧热导率的测量1121

Mn掺杂BST薄膜的制备与表征1126

溶胶凝胶法制备的Mn掺杂BST薄膜的特性1132

局部注氧隔离制作的新型DSOI MOSFET的热学特性研究1137

硅基PLZT厚膜的制备和特性研究1143

DSOI,SOI和体硅MOSFET的特性测量比较1150

用于FeFET的PZT基MFS结构1157

剥离法制作高品质PZT厚膜1164

用于MFSFET的硅基PLZT薄膜的制备和特性1171

多层Ge量子点的光学特性和结构研究1178

集成电路技术1185

一种多分辨率组合的模糊神经网络分类器1185

模拟神经元电路实现研究现状与进展1197

一种基于超盒表示的规则提取方法1215

用于规则模式分类的模糊Petri网1225

使用学习样本构建的模糊控制系统在倒立摆中的应用1234

用于MFSFET的硅基PZT薄膜的制备和特性1239

一种模拟自适应模糊控制器的设计1246

基于电荷泵实现的模糊控制器去模糊电路设计1256

新结构重心法去模糊单元电路设计1262

系统集成技术1271

高灵敏度微机械薄膜的设计、模拟与优化1271

梁式铁电－硅微麦克风和扬声器的设计优化1281

超声波激励的（100）硅各向异性腐蚀研究1288

具有高灵敏度圆形纹膜的单芯片电容式微麦克风1297

硼预淀积对自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响1305

溶胶凝胶法铁电三明治结构的制备和表征1312

硅基衬底Ba0.5Sr0.5TiO3厚膜制备的sol-gel新方法1319

新型非平面振膜电容式换能器的比较研究1326

用于FeRAM的高品质铁电电容1335

一种新型的单FET铁电非挥发存储器的单元和阵列结构1341

具有PZT薄膜驱动悬臂式微镜的新型微光学开关阵列1346

硅微机械悬浮结构电感的设计与制作工艺研究1353

使用DRIE和背面刻蚀技术的单芯片电容式微麦克风1361

体声波滤波器的表面微加工1373

PZT基射频滤波器的优化1380

一种新型的铁电微麦克风1387

大束流Co离子注入形成CoSi2/Si Schottky结的特性1392

微电子应用中的压电和铁电薄膜1398

用于射频通讯的PZT的高频特性1407

基于硅基铁电薄膜的微麦克风1413

三轴压电加速度计的设计1419

局部注氧隔离制作的DSOI MOSFET的实验结果1426

用于射频领域的高调节范围MEMS压控电容1435

基于高品质PZT的压电微麦克风的制作1441

用于MEMS硅模技术制备的高品质PZT厚膜1448

Ni81Fe19层厚度对自旋阀巨磁电阻性能的影响1454

用于集成磁传感器的热稳定巨磁电阻自旋阀D1457

用于衬底隔离的选择性氧化多孔硅厚膜的制备1461

热环境对微机械多晶硅薄膜电阻电特性的影响1464

多孔硅作为牺牲层的镂空氧化物薄膜上平面线圈的制作1472

通过控制Si的浓度实现具有均匀形状和大小的自组装SiGe岛1481

高介电常数介质RF MEMS开关的制作研究1486

硅基微波和射频MEMS器件制作中的关键技术1492

具有复合薄膜的压控电容研究1501

利用新型建模方法进行线圈电感调谐的RF MEMS旁路开关设计1509

用于铁电存储器的反应离子刻蚀和离子束刻蚀1517

硅基铁电器件中的关键集成技术和问题1523

铁电－硅集成微麦克风和扬声器研究1533

三极板型RFMEMS压控电容的分析与制作1542

RIE对巨磁电阻自旋阀磁性能的影响1545

氧化多孔硅上制作Cu电感的研究1551

两侧下拉电极MEMS压控电容的分析和优化1557

高阻硅上RF-MEMS共面波导设计及测量研究1569

一种K波段双桥电容式RF MEMS开关的设计与制作1578

斜拉梁结构的RF-MEMS开关制作研究1587

一种X波段RF MEMS开关的设计与制作研究1593

高灵敏度简单自旋阀中GMR和NiFe层厚度的关系1600

介质表面形貌对射频微机械开关隔离度的影响1607

高阻衬底上双层线圈大值电感研究1614

旁路电容式RF MEMS开关的可靠性研究1622

SP4T RF MEMS开关的键合封装1630

低损耗衬底上的一种无源低通滤波器1638

基于压电薄膜的微声学器件1647

PZT基超声换能器性能一致性的改进1657

应用于0～10GHz的介质桥膜型MEMS串联接触开关1665

一种旁路电容式RF MEMS开关的动态特性研究1672

应用改进结构的超薄单晶硅薄膜热导率的测量1678

使用传统光刻和气体各向同性刻蚀的氮化硅纳米机械结构的制作1685

多层复合结构应变硅材料的生长和特性1692

一种新型三谐振点电容式RF MEMS开关1700

PZT基微麦克风阵列的方向性优化1706

退火温度对溅射法制备的PZT薄膜性能的影响1715

一种SiON介质桥膜结构的串联接触MEMS开关的实现1723