图书介绍

IGBT场效应半导体功率器件导论2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载

袁寿财著著
出版社：北京：科学出版社
ISBN：7030200411
出版时间：2008
标注页数：209页
文件大小：38MB
文件页数：218页
主题词：绝缘栅场效应晶体管－基本知识

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图书目录

第1章绪论1

1.1 半导体功率器件与电力电子技术1

1.2 半导体功率器件及其主要应用领域3

1.3 电力电子与民族工业的振兴5

1.4 本书的主要内容和章节安排6

第2章半导体功率器件技术回顾8

2.1 引言8

2.2 双极结型晶体管（BJT）技术8

2.3 场效应晶体管（FET）技术12

2.4 MOSFET的发展历程16

2.5 绝缘栅双极晶体管（IGBT）20

2.6 其他半导体功率器件23

2.7 半导体新材料和新器件27

2.8 IGBT等半导体功率器件的应用29

2.9 小结33

参考文献33

第3章 IGBT的工作机理分析39

3.1 引言39

3.2 IGBT的基本结构及输出I-V特性39

3.3 IGBT工作机理的数值分析43

3.4 IGBT重要电性能参数的分析和优化设计47

3.5 小结66

参考文献67

第4章 IGBT准数值分析模型69

4.1 引言69

4.2 IGBT n区压降计算的准数值模型70

4.3 IGBT n区压降计算的PIN二极管模型74

4.4 IGBT样品测量与模型计算的比较78

4.5 小结80

参考文献80

第5章 IGBT的等效电路模型82

5.1 引言82

5.2 IGBT等效电路的建立82

5.3 IGBT n-区电阻的VCR模型86

5.4 IGBT等效电路模型参数的非破坏测试和提取87

5.5 模拟与测量的比较与讨论94

5.6 小结96

参考文献97

第6章 IGBT的开关特性和温度效应99

6.1 引言99

6.2 IGBT关断特性的分析101

6.3 IGBT温度效应的分析106

6.4 小结113

参考文献114

第7章平面工艺IGBT设计与制作116

7.1 引言116

7.2 半导体功率器件的衬底材料116

7.3 平面工艺IGBT设计与制作124

7.4 全自对准浅结平面工艺IGBT设计128

7.5 制作芯片的测试与结果分析139

7.6 小结146

参考文献146

第8章 Trench Gate（槽栅）IGBT结构和工艺148

8.1 Trench工艺的提出148

8.2 Trench工艺的发展148

8.3 Trench的几种结构152

8.4 Trench结构的优势与不足157

8.5 难熔金属硅化物工艺161

8.6 全自对准Trench Gate IGBT结构与工艺设计164

8.7 电力电子新器件与新工艺168

8.8 小结172

参考文献172

第9章 pn结击穿与终端保护技术175

9.1 碰撞电离与雪崩击穿176

9.2 击穿电压与IGBT纵向参数的关系179

9.3 临界电场183

9.4 结果分析与优化184

9.5 带缓冲层的穿通型器件结构188

9.6 击穿电压与掺杂浓度及厚度关系对IGBT的修正190

9.7 pn结平面终端技术191

参考文献206

主要符号表208