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目录1

第一章 晶体定向的意义1

一、对单晶制造方面的影响1

二、对外延生长方面的影响1

三、对器件制造方面的影响2

四、对管芯划片方面的影响2

第二章 晶体取向的表示方法4

第一节 晶面和晶面指数4

一、球面投影和极射赤面投影8

第二节 晶面的投影表示8

二、乌尔夫网和晶面间的角度测量10

第三章 解理法定向15

第一节 定向原理15

第二节 解理插针法定向18

第三节 解理测角法定向20

一、定向测角仪20

二、测角方法20

三、三维转动台21

四、定向操作步骤22

第五节 〈112〉取向籽晶的解理法定向25

一、砷化镓单晶的生长特性25

第四节 ｛110｝晶面的解理法定向25

二、水平区熔砷化镓单晶采用［112］方向生长的原因27

三、〈112〉取向籽晶在石英舟中的正确放置方位28

四、〈112〉取向籽晶定向30

第四章 光图象法定向32

第一节 定向原理32

第二节 晶体断面的处理33

一、机械处理33

二、化学处理36

第三节 光图象定向仪36

第四节 定向操作步骤37

第五节 〈111〉长苞硅单晶籽晶的定向切割39

第六节 半导体晶片的最佳划片方位44

一、硅、砷化镓〈111〉，〈100〉取向晶片最佳划片方位的选择44

二、基准平面在单晶柱面上的确定方法46

三、在单晶柱面上研磨基准平面的具体操作步骤52

第七节 从一个晶面到另一个任意晶面的定向切割53

第八节 半导体硅片的标准化条件56

一、硅片直径56

二、硅片厚度56

三、硅片基准面的选择57

四、硅片取向和导电类型的宏观表示57

六、硅片的平行度和弯曲度58

五、硅片的晶体取向准确度58

第五章 Z射线定向60

第一节 基本原理60

第二节 X射线照相法定向63

一、劳厄衍射斑点64

二、极射赤面投影点的指数化方法70

三、调整晶体取向的方法75

第三节 单色X射线衍射法定向78

一、定向原理78

三、X射线定向仪简介79

二、一般定向程序79

四、用X射线定向仪定向的应用举例86

第六章 切割机概况94

第一节 内圆切割机94

一、内圆切割机的构造94

二、内圆切割刀片的安装97

三、内圆切割机操作要点98

四、内圆切割机的优缺点99

第二节 往复式切割机和导丝切割机100

一、往复式切割机的构造101

二、操作要点101

第三节 外圆切割机102

三、往复式切割机的优缺点102

第四节 超声波加工机103

第五节 微电子束切割机104

第七章 极性的确定方法105

第一节 用荧光X射线确定极性105

第二节 用化学腐蚀法确定极性106

第三节 用光图象确定极性108

附录109

一、立方晶体晶面间的夹角109

立方晶体某些高指数晶面间的夹角110

三、立方晶体和六方晶体的几个标准极射赤面投影图111

二、六方晶体晶面间的夹角111

四、关于区熔法生长砷化镓单晶的生长棱线121

五、几种主要半导体材料的常用化学腐蚀剂126

六、MOS晶体管及其固体电路在制造中基片取向的考虑130

七、结构因数131

八、用X射线衍射法测定砷化镓衬底上外延生长磷砷化镓层的组份131

九、半导体晶体表面加工损伤层深度的测定136

十、YX-1型X射线定向仪电气原理图139

十一、YX-1型X射线定向仪记录放大器电气原理图140

十三、元素周期表142

十四、锗，硅和Ⅲ-V族化合物半导体材料主要物理性能表143

参考文献144