图书介绍

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三维结构MOS晶体管技术研究
  • 张盛东著 著
  • 出版社： 北京：高等教育出版社
  • ISBN：7040179385
  • 出版时间：2005
  • 标注页数：316页
  • 文件大小：20MB
  • 文件页数：333页
  • 主题词：三维结构－MOS场效应晶体管－高等学校－教材

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图书目录

目录167

第1章 绪论167

1.1 MOS晶体管技术回顾168

1.2 按比例缩小理论和主要限制170

1.3 从单栅结构到双栅结构171

1.4 从二维结构到三维结构174

1.5 本研究的主要内容和创新点175

参考文献177

第2章 三维CMOS集成技术概念183

2.1 引言183

2.2 自对准三维CMOS结构的提出184

2.3 相关技术课题186

参考文献188

第3章 自对准背栅MOS晶体管技术研究190

3.1 引言191

3.2 背栅MOS晶体管结构分析193

3.3 全自对准背栅MOS晶体管的制作195

3.4 自对准背栅多晶硅薄膜晶体管的制作199

3.5 器件测试结果与讨论201

3.6 多晶硅上高质量背栅氧化层的生长209

3.7 非自对准结构对深亚微米器件性能影响的模拟212

3.8 小结216

参考文献216

第4章 单晶粒上自对准双栅MOS晶体管制作技术研究220

4.1 引言221

4.2 单晶粒硅膜制备技术221

4.3 自对准双栅MOS晶体管的制作226

4.4 实验结果与讨论229

4.5 多栅／多体MOS晶体管概念232

4.6 小结234

参考文献235

第5章 可电分离自对准双栅MOS晶体管技术和应用研究237

5.1 引言237

5.2 动态阈值电压概念239

5.3 功耗评估及比较240

5.4 自对准ESDG MOS晶体管制作技术242

5.5 结果与讨论245

5.6 小结251

参考文献251

第6章 自对准三维CMOS电路的实现253

6.1 引言253

6.2 自对准三维CMOS反相器制作过程254

6.3 实验结果与讨论257

6.4 小结260

参考文献260

第7章 自对准双栅薄膜晶体管技术研究262

7.1 引言263

7.2 理想双栅薄膜晶体管的结构特征264

7.3 自对准工艺和器件制作267

7.4 结果与讨论270

7.5 自对准双栅薄膜晶体管的LDD技术277

参考文献284

7.6 小结284

第8章 漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的研究288

8.1 引言288

8.2 SOI器件的RESURF原理289

8.3 线性掺杂漂移区的设计291

8.4 SOI LDMOS晶体管的制作295

8.5 结果与分析297

参考文献301

8.6 小结301

第9章 新型亚50 nm硅栅制作技术研究303

9.1 引言303

9.2 实验304

9.3 结果与讨论309

9.4 小结311

参考文献311

第10章 总结313

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