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译者的话1

第一章 绪言1

目录1

原作者序3

第二章 光电发射的基础5

2.1 体积效应与表面效应5

2.2 金属材料与非金属材料的比较6

2.3 半导体的光电发射10

第三章 金属的光电发射15

3.1 引言15

3.2 金属的逸出功15

3.3 金属的量子效率（通论）39

3.4 碱金属的量子效率42

4.1 碱金属49

第四章 光电阴极工艺49

4.2 真空要求53

4.3 金属蒸发技术54

4.4 光电灵敏度的定义58

4.5 前照明与背照明60

第五章 半导体光电发射体（引言）63

第六章 铯-锑光电阴极65

6.1 历史65

6.2 制造65

6.3 化学组成72

6.4 厚度与密度74

6.5 Cs3Sb的晶体结构74

6.6 铯的分蒸气压76

6.7 Cs3Sb的光电发射特性76

6.8 其他的电特性91

6.9 Cs3Sb的光学性质98

6.10 测量的解释102

第七章 Cs3Sb阴极以外的单碱锑化物光电阴极107

7.1 钾-锑光电阴极107

7.2 铷-锑光电阴极116

7.3 钠-锑光电阴极119

7.4 锂-锑光电阴极122

第八章 多碱锑化物光电阴极125

8.1 历史125

8.2 钠-钾-锑与铯-钠-钾-锑（S-20）光电阴极126

8.3 钾-铯-锑光电阴极137

8.4 铷-铯-锑光电阴极139

第九章 单碱及多碱光电阴极性质摘要141

10.2 历史145

第十章 银-氧-铯（S-1）光电阴极145

10.1 引言145

10.3 银-氧-铯光电阴极的制造147

10.4 化学组成154

10.5 Ag-O-Cs光电阴极的结构157

10.6 光电发射特性159

10.7 其他电学及光学性质167

10.8 Ag-O-Cs特性的解释174

第十一章 铋-铯与铋-银-氧-铯（S-10）光电阴极183

11.1 历史183

11.2 铯-铋光电阴极184

11.3 铋-银-氧-铯（S-10）光电阴极185

第十二章 对紫外灵敏的高量子产额光电阴极192

12.1 引言192

12.2 对紫外灵敏的光电阴极用的窗193

12.3 对紫外灵敏的光电阴极的测量195

12.4 2000到3500？范围的光电阴极197

12.5 1050到2000？范围的光电阴极204

12.6 1050？以下范围的光电阴极216

第十三章 其他各种半导体光电发射体219

13.1 引言219

13.2 元素半导体219

13.3 Ⅲ-Ⅴ半导体226

13.4 Ⅱ-Ⅵ半导体232

13.5 Ⅳ-Ⅵ半导体236

13.6 其他各种材料238

13.7 （EG＋EA）,EG及EA值摘要240

14.1 辐射探测器243

第十四章 实用光电发射材料243

14.2 变象管253

参考文献256

译者增补说明267

Ⅰ．Ⅲ-Ⅴ族化合物光电阴极268

1.1 引言268

1.2 光电发射的物理模型268

1.2.1 物理图象269

1.2.2 三步过程及其对半导体的应用271

1.2.2.1 三步过程271

1.2.2.2 对半导体的应用274

1.2.3 偶极子模型与异质结模型279

1.2.4 暗电流284

1.3 外延层的生长284

1.3.1 汽相外延285

1.3.2 液相外延287

1.3.3 分子束外延289

1.4 激活技术291

1.4.1 引言291

1.4.2 对清洁及真空的要求292

1.4.3 清洁技术292

1.4.4 激活材料295

1.4.4.1 铯源296

1.4.4.2 氧源298

1.4.5 激活程序302

1.5 光电发射特性304

1.5.1 Ⅲ-Ⅴ化合物光电发射特性304

1.5.2 影响逃逸几率的因素305

1.6 反射式光电阴极313

1.7.1 理论考虑317

1.7 透射式光电阴极317

1.7.2 光电阴极的制造320

1.8 在变象管中的应用327

1.8.1 调制传递函数328

1.8.2 时间分辨率329

1.8.3 一种近贴聚焦变象管330

1.9 结束语332

Ⅱ．多碱光电阴极的进展334

2.1 引言334

2.2 提高红响应的努力335

2.3 化学组成及晶体结构341

2.4 转移阴极技术343

2.5 光电阴极的稳定性345

2.6 碱金属源347

参考文献354