机电产品微细加工技术与工艺2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载

机电产品微细加工技术与工艺PDF格式电子书版下载

注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具

第一章 微细加工的基本方法1

第一节 微细加工的范围、特点和应用1

一、微细加工的范围及特点1

二、微细加工的应用及分类3

第二节 机械微细加工5

一、微细切削加工5

二、微孔加工6

三、变形加工10

四、磨料加工13

五、喷射加工18

第三节 化学方法的微细加工22

一、化学刻蚀22

二、化学抛光27

第四节 电化学的微细加工33

一、电铸法微细加工34

二、电解加工37

三、电解磨削39

四、电解抛光41

一、电子束加工45

第五节 粒子束的微细加工45

二、离子束微细加工49

三、分子束和原子束加工49

四、激光微细加工50

第六节 微波和超声波加工58

一、微波微细加工58

二、超声波微细加工59

第二章 微电子技术中图形加工的一般方法64

第一节 制造微细图形的要求64

第二节 外延66

第三节 氧化69

第四节 光刻72

一、制版工艺74

二、投影复制76

三、电子束光刻76

四、X射线光刻79

第五节 刻蚀81

一、化学刻蚀82

二、各向异性刻蚀82

第六节 掺杂85

一、扩散86

二、离子注入90

三、中子嬗变掺杂技术94

第七节 连线材料和工艺95

一、金属布线工艺及金属膜的特性95

二、铝及其他金属布线工艺的讨论96

第三章 粒子束与固体的相互作用99

第一节 概述99

第二节 电子束与固体的相互作用101

一、电子与固体的相互作用101

二、电子能量损耗机理106

三、靶中的物理效应118

第三节 离子束与固体的相互作用121

一、离子与固体的相互作用121

二、能量损耗机理124

第四章 微细加工中的薄膜技术128

一、物理气相沉积的基础130

一、光刻用的X射线光源131

第四节 光源及其与固体的相互作用131

二、光源132

三、光子与物质的相互作用134

第一节 物理气相沉积139

二、电子束蒸发140

三、溅射沉积142

四、磁控溅射145

五、薄膜厚度的测量和监控147

第二节 化学气相沉积149

一、常压化学气相沉积149

二、低压化学气相沉积150

三、等离子体化学气相沉积153

第三节 保护层薄膜和掩膜155

一、氧化硅薄膜155

二、磷硅玻璃薄膜158

三、氮化硅161

四、氮氧化硅薄膜165

五、非晶硅薄膜166

六、自对准掩膜167

第四节 掺杂用薄膜175

一、硅的掺杂源176

二、种化镓的掺杂源177

第五节 互连薄膜178

一、概述178

二、单金属互连薄膜182

三、电迁移效应184

四、多层金属互连186

第六节 欧姆接触187

一、欧姆接触的形成187

二、单层欧姆接触188

三、柯肯德尔效应189

四、多层接触薄膜192

五、管芯连接196

第五章 微细加工中的光刻原理与工艺199

第一节 光刻工艺过程199

第二节 光学光刻工艺201

一、接触曝光202

二、接近曝光204

三、投影曝光204

四、光学曝光的物理限制208

五、数值孔径218

六、波长223

七、聚焦深度224

八、驻波效应224

第三节 电子束光刻工艺225

一、电子在固体中的散射226

二、电子束光刻系统及其限制229

三、图形的曝光方式235

一、概述241

第四节 X射线光刻工艺241

二、X射线与粒子的作用244

三、X射线曝光用掩模247

第五节 离子束光刻249

第六章 微细加工中的刻蚀和清洗工艺251

第一节 湿法化学刻蚀252

一、结晶材料的刻蚀254

二、硅的湿法刻蚀255

三、砷化镓的湿法刻蚀258

四、各向异性湿法刻蚀263

五、结晶学刻蚀267

六、非晶膜的刻蚀271

第二节 等离子体刻蚀282

一、光刻胶的去除286

二、刻蚀的负载效应288

三、图形的刻蚀290

四、用于干法刻蚀中的终点检测295

第三节 等离子体辅助刻蚀297

一、溅射刻蚀299

二、离子磨铣302

第四节 微细加工中的清洗工艺305

第七章 三维多层光刻胶系统的微细加工309

第一节 概述309

第二节 MLR系统的机能311

一、光刻311

二、电子束光刻314

三、X射线光刻318

四、离子束光刻320

第三节 当前的MLR系统321

一、MLR的初始阶段322

二、MLR的发展阶段324

三、MLR的完善阶段329

四、单层方案332

第四节 多层系统的实际加工工艺334

一、平面化技术334

二、针孔337

三、光刻胶的附加缺陷340

四、界面层341

六、薄膜的应力345

五、刻蚀的残留物345

七、干涉效应346

八、曝光和对准的光谱透射346

九、检查方法347

十、光刻胶层的剥离349

第五节 现有MLR系统的比较350

一、1LR、2LR和3LR系统的比较350

二、深紫外线PCM和反应离子刻蚀PCM系统的比较353

三、结论356

主要参考文献358