功率半导体器件电场优化技术2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载

功率半导体器件电场优化技术PDF格式电子书版下载

注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具

第一章 功率半导体器件的耐压基本技术1

1.1 概述2

1.1.1 功率半导体器件的击穿电压2

1.1.2 结终端技术2

1.1.3 RESURF技术3

1.2 平面终端技术4

1.2.1 结击穿与曲率效应4

1.2.2 场板技术7

1.2.3 场限环技术12

1.2.4 结终端扩展技术16

1.2.5 磨角终端技术25

1.2.6 复合终端技术28

1.3 衬底终端技术31

1.3.1 衬底终端（STT）的基本结构31

1.3.2 STT的机理32

1.3.3 STT的典型结构和特性39

1.4 纵向终端技术44

1.4.1 体内附加场44

1.4.2 沟槽终端技术46

1.4.3 纵向场板技术50

1.4.4 纵向JTE（VJTE）技术61

1.5 RESURF技术72

1.5.1 体硅RESURF技术72

1.5.2 SOI RESURF技术81

1.5.3 SR,DR及TR的统一纵向耐压模型86

1.5.4 MR条件和耐压模型98

参考文献100

第二章 超结器件106

2.1 概述107

2.1.1 功率半导体器件的基本特性107

2.1.2 耐压层的作用基础与分析方法108

2.1.3 VDMOS和IGBT111

2.1.4 超结器件的问世114

2.2 超结器件原理116

2.2.1 超结概念与电荷场116

2.2.2 超结电场的二维性120

2.2.3 超结等势关系130

2.2.4 超结的耐压归一化132

2.2.5 超结全耗尽与非全耗尽耐压模式133

2.2.6 超结临界场增强136

2.3 超结器件的基本特性140

2.3.1 杂质密度DC140

2.3.2 超结器件的耐压与比导通电阻的关系［26］144

2.3.3 超结器件电荷非平衡148

2.3.4 超结器件的I-V特性和安全工作区154

2.3.5 超结器件瞬态特性169

2.4 横向超结器件175

2.4.1 泊松方程解与特征厚度175

2.4.2 衬底辅助耗尽效应178

2.4.3 等效衬底（ES）模型［46］180

2.4.4 横向超结器件的耐压与比导通电阻的关系189

2.4.5 横向超结器件的典型结构191

2.5 典型的超结器件196

2.5.1 超结IGBT196

2.5.2 部分超结结构201

2.5.3 超结肖特基器件202

2.5.4 OB超结结构204

2.5.5 高k耐压层结构205

2.5.6 介质电荷薄层超结结构207

2.6 超结制作技术207

参考文献211

第三章 介质场增强技术及其SOI横向高压器件219

3.1 SOI技术概述219

3.2 SOI高压器件和模型223

3.2.1 SOI高压器件223

3.2.2 SOI高压器件解析模型227

3.3 SOI高压器件介质场增强技术231

3.3.1 SOI高压器件介质场增强理论分析231

3.3.2 介质场增强模型与技术243

3.4 电荷型SOI高压器件254

3.4.1 具有双面电荷槽的新型700V SOI LDMOS254

3.4.2 部分SOI的新型高压（大于1200V）电荷槽型MOSFET258

3.4.3 新型薄膜双面阶梯埋氧层功率MOSFET269

3.4.4 具有消除背栅偏置效应的新型高压SOI器件272

3.4.5 界面固定电荷SOI高压器件新结构和耐压模型284

3.5 低k型介质埋层SOI高压器件293

3.5.1 变k介质埋层SOI高压器件与解析模型293

3.5.2 低k介质埋层PSOI高压器件304

3.6 薄膜SOI高压器件309

3.6.1 薄硅层临界电场模型与阈值能量模型309

3.6.2 薄膜SOI高压器件及耐压模型［81］323

3.6.3 薄膜SOI阶梯漂移区LDMOS新结构及耐压模型［82］328

参考文献337

第四章 体内场降低技术与新器件344

4.1 REBULF技术344

4.2 REBULF LDMOS结构与耐压分析351

4.3 部分浮空层REBULF LDMOS359

4.4 多浮空层REBULF LDMOS364

4.5 REBULF SJ-MOSFET367

4.6 部分浮空层SJ-MOSFET理论分析和工艺实现372

参考文献378

第五章 功率半导体器件的发展381

5.1 功率半导体器件的定义与作用381

5.2 功率半导体器件的分类382

5.3 功率半导体器件的发展383

5.3.1 功率二级管383

5.3.2 功率晶体管388

5.3.3 晶闸管类器件427

5.3.4 功率集成电路428

5.4 总结429

参考文献430

附录443