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目录1

第一章　MOS场效应晶体管和有关器件的工作原理1

1.1　引言1

1.2　简单的工作原理分析5

1.3 衬底中有杂质离子形成的空间电荷时的分析9

1.4　夹断以后的工作15

1.5　界面处载流子迁移率与栅电压的关系20

1.6　界面处载流子迁移率与漏电压的关系25

1.7　阈值附近的特性26

1 8　界面俘获中心对静态特性的影响27

1.9　噪声生成机制32

1.10　电荷耦合器件37

1.10.1　MOS二极管的过渡响应38

1.10.2　电荷耦合器件工作原理的简单说明40

1.10.3　电荷传输现象的分析42

第二章　MOS场效应晶体管电路49

2.1　高频电路49

2.1.1　高频MOS场效应晶体管49

2.1.2　MOS场效应晶体管高频参数的测量62

2.1.3　高频增益与稳定性函数68

2.1.4　带通放大器的设计71

2.1.5　高频（RF）放大电路84

2.1.6　中频（IF）放大电路91

2.1.7　应用举例96

2.1.8　高频振荡电路99

2.1.9　变频（混频）电路104

2.1.10　宽频带放大器109

2.2　直流放大电路116

2.2.1　直流和低频放大电路概述116

2.2.2　直流偏置电路和工作点的关系119

2.2.3　弱电流放大电路128

2.2.4　弱电压放大电路134

2.2.5　调制型直流放大电路概述148

2.2.6　MOS晶体管斩波器的恒压性漂移152

2.2.7　MOS晶体管的恒流性偏移155

2.2.8　MOS晶体管斩波器直流放大电路举例161

第三章　MOS集成电路的应用170

3.1　用MOS集成电路设计的机器170

3.1.1 系统设计举例170

3.1.2 从逻辑设计来看的MOS集成电路功能175

3.1.3　从电路设计来看的MOS集成电路功能178

3.1.4 用MOS集成电路构成的系统举例183

3.1.5 中规模集成电路设计185

3.1.6 大规模集成电路设计189

3.1.7　展望193

3.2　MOS集成电路设计的基本知识193

3.2.1　集成电路中的MOS结构举例194

3.2.2　MOS晶体管特性的基本表达式196

3.2.3　MOS集成电路的功能199

3.2.4　MOS集成电路设计要点204

3.2.5　大规模集成化问题206

3.2.6　基本电路举例207

3.3　逻辑电路209

3.3.1　倒相器电路209

3.3.2 门电路211

3.3.3　触发器电路213

3.3.4　计数器电路219

3.3.5　多相时钟电路中的逻辑电路222

3.3.6　C-MOS（互补MOS）逻辑电路226

3.4　存储电路229

3.4.1　移位寄存器的种类229

3.4.2　移位寄存器的功能和应用238

3.4.3　存储器的种类239

3.4.4　存储器阵列245

3.5　控制和显示电路248

3.5.1　定时脉冲发生电路248

3.5.2　控制电路258

3.5.3 显示电路262

3.6　其它电路268

3.6.1 模拟开关268

3.6.2　数字微分分析器268

3.6.3 模拟电路272

3.7　大规模集成电路的结构举例275

3.7.1　按用户需要设计的大规模集成电路278

3.7.2　采用多层布线的移位寄存器286

3.7.3　大规模集成电路标准设计289

3.7.4　微处理机使用的大规模集成电路298

3.8 MOS晶体管和MOS集成电路的检测及可靠性302

3.8.1 MOS晶体管的检测302

3.8.2　MOS集成电路的检测307

3.8.3　MOS集成电路的可靠性315

3.8.4　MOS集成电路的使用方法328