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目录1

第一章晶体管的制法及其类型1

1.1晶体管与电子管比较1

1.2晶体管发展史（略）2

1.3晶体管的基本结构2

1.4半导体晶体的生长3

1.5制造结的基本方法5

1.6晶体管的制作方法6

1.7生长结法7

1.8双面杂质接触法9

1.9单面杂质接触法11

1.10外延平面法13

1.11晶体管工艺学的范围14

第二章原子结构及能带理论15

2.1引 论15

2.2量子假设15

2.3行星状的原子16

2.4氢光谱17

2.5波耳原子17

2.6量子波动力学18

2.7量子态19

2.8能带理论21

问 题23

2.9晶体中的能带23

第三章半导体24

3.1能带理论的应用24

3.2固体的电导性质24

3.3半导体晶体25

3.4空穴电导26

3.5费米－狄拉克分布函数27

3.6载流子的平衡浓度28

3.7本征电导30

3.8半导体的杂质电导31

3.9杂质原子的电离能32

3.10电荷中性33

3.12杂质半导体中的费米能级34

3.11半导体命名法34

3.13少数载流子密度37

问 题38

第四章半导体晶体的性质39

4.1引 论39

4.2载流子的漂移运动39

4.3漂移迁移率40

4.4半导体中的电流46

4.5电阻率47

4.6少数载流子密度49

4.7载流子的扩散运动49

4.8寿 命51

4.9复合中心52

4.10半导体表面55

附 录57

问 题58

第五章p-n结理论60

5.1引 论60

5.2能级的电位表示60

5.3平衡时的p-n结61

5.4有外加电压时的p-n结62

5.5载流子电流及注入电平64

5.6连续性方程及扩散方程66

5.7直流电压——电流分析67

5.8突变结电容72

5.9缓变结电容75

问 题85

第六章p-n结的特性86

6.1引 论86

6.2反向电流特性86

6.3反向电流和温度的关系88

6.4耗尽層电荷产生89

6.5反向电压雪崩击穿90

6.6缓变结中的雪崩击穿93

6.7正向电流特性95

6.8正向大电流效应97

6.9 p-n结中的少数载流子储存100

6.10大量生产的结型整流器101

问 题102

第七章晶体管绪论103

7.1引 论103

7.2理想放大器103

7.3由p-n结综合成的放大器104

7.4 p-n-p结型晶体管105

7.5电流增益理论106

7.6共基极晶体管特性108

7.7共发射极晶体管特性110

7.8高频特性112

7.9交流等效电路113

7.10最佳晶体管参量设计114

问 题116

第八章结型晶体管理论118

8.1一维模论118

8.2 p-n-p能位图118

8.3假设及边界条件119

8.4发射极及收集极电流120

8.5均匀基区的电流增益理论123

8.6均匀基区的截止频率127

8.7缓变基区的电流增益理论129

8.8缓变基区的截止频率133

8.9发射结及收集结电容134

问 题135

8.10各种晶体管工艺所产生的杂质剖面图135

第九章结型晶体管特性136

9.1晶体管直流参数136

9.2共发射极电流增益β136

9.3收集极反向电流138

9.4收集极击穿电压141

9.5发射极反向特性143

9.6基区电阻144

9.7缓变基区的薄層电阻148

9.8基极输入及收集极饱和电压150

问 题153

9.9参量的温度关系153

第十章晶体管大电流特性154

10.1大电平注入理论154

10.2表面复合随电流的变化157

10.3体复合随电流的变化158

10.4发射效率随电流的变化159

10.5电流增益的合成变化161

10.6基区电导调制163

10.7基区的电流集边现象164

10.8电流对基区截止频率的影响165

问 题166

11.1晶体管频率分析引论167

11.2基区宽变效应167

第十一章低频囘授效应167

11.3收集极输出电导168

11.4发射极输入电阻170

11.5基区囘授电阻171

11.6收集极扩散电容172

11.7低频等效电路173

问 题174

第十二章低频h参量175

12.1晶体管的小信号参量175

12.2共基极h参量176

12.3对等效电路的应用177

12.4输入阻抗h？b177

12.5反向——电压囘授hrb178

12.6正向电流傅输hrb179

12.7输出导纳hob179

12.8随发射极电流的变化179

12.9随收集极电压的变化182

12.10随温度的变化182

12.11共发射极h参量183

问 题184

第十三章高频h参量186

13.1引 论186

13.2少数载流子电流的普遍解186

13.3基区变宽效应的引进189

13.4导纳方程192

13.5变换到h参量195

13.6与基区截止频率及基区电阻的关系196

13.7 hrb的频率变化197

13.8 hlb的频率变化200

13.9 hrb的频率变化201

13.10 hob的频率变化202

13.11高频等效电路204

问 题205

第十四章晶体管的频率响应206

14.1共基极电流增益的频率变化206

14.2发射极延迟时间常数206

14.3基区渡越时间207

14.5收集极延迟时间常数208

14.4收集结耗尽層渡越时间208

14.6a截止频率fab209

14.7共发射极电流增益的频率变化210

14.8 β截止频率fae及电流增益带宽频率210

14.9 fT随电压及电流的变化211

14.10最佳fT的设计理论213

问 题213

第十五章结型晶体管放大器214

15.1引 论214

15.2一般四端网络的功率增益214

15.3低频放大器功率增益215

15.4最大有用功率增益218

15.5高频共发射极h参量221

15.6高频放大器功率增益223

15.7最高振荡频率224

15.8功率增益随电压及电流的变化224

15.9最佳功率增益——带宽的设计理论225

问 题228

第十六章结型晶体管开关229

16.1开关晶体管引论229

16.2开关过程的定性描述230

16.3基区储存电荷晶体管分析232

16.4延迟时间235

16.5上升时间236

16.6储存时间238

16.7下降时间242

16.8开关晶体管的电荷参量242

问 题244

第十七章晶体管的设计原理245

17.1制造过程对晶体管设计的限制245

17.2生长结晶体管245

17.3合金晶体管247

17.4扩散基区合金晶体管248

17.5台型及平面型晶体管249

17.6外延晶体管250

17.7半导体集成电路引论252