芯片制造 半导体工艺制程实用教程 第4版2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载

芯片制造 半导体工艺制程实用教程 第4版PDF格式电子书版下载

注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具

第1章 半导体工业1

一个工业的诞生1

固态时代2

集成电路3

工艺和产品趋势3

特征图形尺寸的减小4

芯片和晶圆尺寸的增大5

缺陷密度的减小5

内部连线水平的提高6

SIA的发展方向6

芯片成本7

半导体工业的发展7

半导体工业的构成8

生产阶段9

开发的十年（1951～1960）10

工艺的十年（1961～1970）12

产品的十年（1971～1980）13

自动化的十年（1981～1990）13

产品的纪元（1991～2000）13

极小的纪元14

关键概念和术语15

习题15

参考文献15

第2章 半导体材料和工艺化学品16

原子结构16

元素周期表17

电传导19

绝缘体和电容器19

本征半导体20

掺杂半导体21

掺杂半导体的电阻率21

电子和空穴传导22

载流子迁移率23

半导体产品材料24

半导体化合物24

锗化硅25

铁电材料25

工艺化学品25

物质的状态26

等离子体27

物质的性质27

压力和真空28

酸，碱和溶剂29

材料安全数据表30

关键概念和术语30

习题31

参考文献31

第3章 晶圆制备32

简介32

半导体硅制备32

晶体材料33

晶体生长35

晶体和晶圆质量38

晶体准备39

切片40

晶圆刻号41

磨片41

化学机械抛光（CMP）41

背处理42

双面抛光42

边缘倒角和抛光42

晶圆评估42

氧化43

包装43

晶圆外延43

关键概念和术语43

习题44

参考文献44

第4章 芯片制造概述45

晶圆生产的目标45

晶圆术语45

晶圆生产的基础工艺46

制造半导体器件和电路49

芯片术语54

晶圆测试55

集成电路的封装56

小结57

关键概念和术语57

习题57

参考文献57

第5章 污染控制58

简介58

问题58

污染源61

洁净室的建设68

洁净室的物质与供给77

洁净室的维护77

晶片表面清洗77

关键概念和术语87

习题88

参考文献88

第6章 工艺良品率90

良品率测量点90

累积晶圆生产良品率91

晶圆生产良品率的制约因素92

晶圆电测良品率要素95

封装和最终测试良品率101

整体工艺良品率102

关键概念和术语103

习题103

参考文献103

第7章 氧化104

二氧化硅层的用途104

热氧化机制106

热氧化方法111

水平炉管反应炉111

垂直炉管反应炉119

快速升温反应炉120

快速加热工艺120

高压氧化122

氧化工艺124

阳极氧化125

热氮化126

关键概念和术语127

习题127

参考文献127

第8章 基本光刻工艺流程——从表面准备到曝光129

简介129

光刻蚀工艺概述130

光刻10步法132

基本的光刻胶化学133

光刻胶的表现要素136

正胶和负胶的比较139

光刻胶的物理属性141

光刻工艺143

表面准备143

涂光刻胶146

软烘焙150

对准和曝光153

对准系统比较162

关键概念和术语162

习题162

参考文献163

第9章 基本光刻工艺流程——从曝光到最终检验164

显影164

硬烘焙168

显影检验169

刻蚀172

湿法刻蚀173

干法刻蚀177

光刻胶的去除182

最终目检184

光刻版制作185

小结187

关键概念和术语187

习题187

参考文献188

第10章 高级光刻工艺190

ULSI／VLSI集成电路图形处理过程中存在的问题190

光学系统分辨率控制191

其他曝光问题194

掩膜版薄膜197

晶圆表面问题198

防反射涂层199

平整化201

先进光刻胶工艺201

化学机械研磨小结209

改进刻蚀工艺212

自对准结构213

刻蚀轮廓控制213

光学光刻的末日到来了吗213

关键概念和术语214

习题214

参考文献214

第11章 掺杂216

结的定义216

掺杂区的形成216

掺杂区和结的扩散形成217

扩散工艺的步骤220

淀积220

推进氧化226

离子注入的概念229

离子注入系统229

离子注入区域的杂质浓度235

离子注入层的评估237

离子注入的应用238

掺杂前景展望239

关键概念和术语239

习题239

参考文献240

第12章 淀积241

简介241

化学气相淀积基础243

CVD的工艺步骤245

CVD系统分类246

常压CVD系统246

低压化学气相淀积249

增强型等离子体251

气相外延253

分子束外延253

金属有机物CVD254

淀积膜255

淀积的半导体膜255

外延硅255

多晶硅和非晶硅淀积259

SOS和SOI261

绝缘体和绝缘介质261

导体263

关键概念和术语263

习题264

参考文献264

第13章 金属淀积266

简介266

单一导体层金属266

多层金属导体框架267

导体268

金属薄膜的用途273

淀积方法274

真空泵280

小结284

关键概念和术语284

习题284

参考文献285

第14章 工艺和器件评估286

简介286

晶圆的电性测量287

层厚的测量291

结深295

关键尺寸和线宽测量297

污染物和缺陷检测299

总体表面特征304

污染认定305

器件电学测量306

关键概念和术语313

习题313

参考文献314

第15章 晶圆加工中的商务因素315

制造和工厂经济315

晶圆制造的成本316

设备320

所有权成本321

自动化322

工厂层次的自动化324

设备标准326

统计制程控制327

库存控制330

生产线组织332

关键概念和术语332

习题333

参考文献333

第16章 半导体器件和集成电路的形成334

半导体器件的生成334

集成电路的形成347

超导体355

微电子机械系统355

关键概念和术语360

习题360

参考文献361

第17章 集成电路的类型362

简介362

电路基础363

集成电路的类型364

晶圆的比例集成370

下一代产品371

关键概念和术语371

习题371

参考文献372

第18章 封装373

简介373

芯片的特性374

封装功能和设计375

封装操作工艺的概述376

封装工艺380

封装工艺流程391

封装-裸芯片策略392

封装设计393

封装类型和技术小结396

关键概念和术语397

习题397

参考文献397

术语表398