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上篇 双极型晶体管1

第一章 p-n结1

1.1 p-n结的形成及平衡状态1

1.2 P-n结的直流特性9

1.3 p-n结空间电荷区和势垒电容28

1.4 p-n结的交流小讯号特性50

1.5 P-n结击穿53

练习题65

第二章 双极型晶体管的直流特性68

2.1 晶体管的基本结构和杂质分布68

2.2 晶体管的放大机理70

2.3 晶体管的直流I-V特性及电流增益74

2.4 晶体管的反向电流及击穿电压97

2.5 晶体管的直流特性曲线介绍103

2.6 基极电阻109

2.7 埃伯尔斯-莫尔（Ebers-Moll）模型111

练习题113

第三章 双极型晶体管的频率特性115

3.1 晶体管交流电流放大系数与频率参数115

3.2 晶体管的交流特性分析116

3.3 晶体管的高频参数及等效电路121

3.4 高频下晶体管中载流子的输运及中间参数130

3.5 晶体管电流放大系数的频率关系138

3.6 晶体管的高频功率增益143

3.7 工作条件对晶体管fT、KPm的影响146

练习题147

第四章 双极型晶体管的功率特性149

4.1 集电极最大允许工作电流ICM149

4.2 基区大注入效应对电流放大系数的影响149

4.3 有效基区扩展效应154

4.4 发射极电流集边效应159

4.5 发射极单位周长电流容量——线电流密度163

4.6 晶体管最大耗散功率PCM165

4.7 二次击穿和安全工作区167

练习题176

第五章 二极管和双极型晶体管的开关特性178

5.1 p-n结二极管的开关特性178

5.2 晶体管的开关作用184

5.3 晶体管的开关过程和开关时间186

5.4 开关晶体管的正向压降和饱和压降203

练习题206

下篇 场效应晶体管207

第六章 结型场效应晶体管208

6.1 结型场效应晶体管的基本工作原理208

6.2 结型场效应晶体管的直流特性与低频小信号参数213

6.3 结型场效应晶体管的交流特性232

6.4 结型场效应晶体管的功率特性237

6.5 结型场效应晶体管结构举例239

练习题251

第七章 MOS场效应晶体管252

7.1 MOSFET的基本工作原理和分类252

7.2 MOSFET的阈值电压254

7.3 MOSFET的电流-电压特性和直流特性曲线269

7.4 MOSFET的击穿特性277

7.5 MOSFET的频率特性281

7.6 MOSFET的功率特性和功率MOSFET的结构293

7.7 MOSFET的开关特性297

7.8 MOSFET的温度特性301

7.9 MOSFET的短沟道和窄沟道效应304

练习题314

第八章 晶体管的噪声特性315

8.1 晶体管的噪声和噪声系数315

8.2 晶体管的噪声源316

8.3 双极型晶体管的噪声318

8.4 JFET和MESFET的噪声特性321

8.5 MOSFET的噪声特性327

练习题329

第九章 新型晶体管介绍331

9.1 异质结双极晶体管331

9.2 静电感应晶体管335

9.3 穿通型晶体管339

9.4 绝缘栅双极晶体管341

9.5 双极反型沟道场效应晶体管（BICFET）343

附录345

参考资料354