图书介绍

硅锗的性质2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载

（德）Erich Kasper主编；余金中译著
出版社：北京：国防工业出版社
ISBN：7118028835
出版时间：2002
标注页数：251页
文件大小：8MB
文件页数：267页
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图书目录

第一章引言1

1.1 应力引起的外延薄膜形貌不稳定性和成岛1

1.2 SiGe/Si系统中失配位错网络的平衡理论19

1.3 SiGe/Si系统中亚稳定变层的结构33

第二章结构特性57

2.1 SiGe合金系的晶体结构、晶格常数和固—液相图57

2.2 SiGe合金的有序性62

2.3 Si/Ge界面：结构、能量和互扩散73

第三章热学、力学和晶格振动学性质78

3.1 SiGe的弹性常数78

3.2 SiGe的热力学性质81

3.3 SiGe中的光学声子、声学声子和Raman光谱92

第四章能带结构99

4.1 SiGe的能隙和能带结构及它们同温度的依赖关系99

4.2 应变对SiGe价带结构的影响107

4.3 应变对SiGe导带结构的影响113

4.4 SiGe中的有效质量117

4.5 SiGe异质结构和带偏移125

4.6 SiGe的光谱132

4.7 弛豫的SiGe合金的光学函数及应变对光学函数的影响138

第五章输运特性151

5.1 SiGe/Si系中的电子和空穴的迁移率151

5.2 Si/SiGe异质结的注入163

5.3 SiGe/Si结构中的磁输运特性181

第六章表面性质189

6.1 SiGe（100）表面的再构和键合构形189

6.2 Si和Ge（001）面生长和退火中的原子台阶194

6.3 Ge和掺杂原子在SiGe层生长过程中的分凝199

第七章 Si基器件的结构和重要数据集锦212

7.1 Si/SiGe/Si异质结双极型晶体管212

7.2 n—MODFET用的应变调节方法：无应变SiGe、应变Si（1.5%）225

7.3 SiGe p—MOSFET：SiGe（2.0%）233

7.4 超薄SiGe超晶格应变对称性239