图书介绍

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半导体物理基础
  • 黄昆，韩汝琦著 著
  • 出版社： 北京：科学出版社
  • ISBN：13031·991
  • 出版时间：1979
  • 标注页数：391页
  • 文件大小：12MB
  • 文件页数：398页
  • 主题词：

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图书目录

第一章 掺杂半导体的导电性1

第一节 掺杂和载流子1

第二节 电导率和电阻率5

第三节 迁移率13

第四节 测量电阻率的四探针方法21

第五节 扩散薄层的方块电阻26

第二章 能级和载流子37

第一节 量子态和能级39

第二节 多子和少子的热平衡51

第三节 费米能级59

第四节 电子的平衡统计分布规律73

第五节 非平衡载流子的复合89

第六节 非平衡载流子的扩散101

第三章 PN结110

第一节 PN结的电流-电压关系110

第二节 空间电荷区中的复合和产生电流126

第三节 晶体管的电流放大作用140

第四节 高掺杂的半导体和PN结149

第五节 PN结的击穿158

第六节 PN结的电容效应186

第七节 金属-半导体接触198

第四章 半导体表面221

第一节 表面空间电荷区及反型层222

第二节 MIS电容器——理想C(V)特性233

第三节 实际MIS电容器的C(V)特性及应用249

第四节 硅-二氧化硅系统的性质261

第五节 MOS场效应晶体管269

第六节 电荷耦合器件288

第五章 晶格和缺陷304

第一节 晶格305

第二节 空位和间隙原子332

第三节 位错343

第四节 层错364

第五节 相变和相图375

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