图书介绍

硅中缺陷与器件质量 半导体材料学进展译文集2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载

硅中缺陷与器件质量 半导体材料学进展译文集
  • 王儒全等译 著
  • 出版社： 轻工业出版社
  • ISBN：15042·1538
  • 出版时间：1980
  • 标注页数：180页
  • 文件大小：13MB
  • 文件页数：184页
  • 主题词：

PDF下载


点此进入-本书在线PDF格式电子书下载【推荐-云解压-方便快捷】直接下载PDF格式图书。移动端-PC端通用
种子下载[BT下载速度快]温馨提示：（请使用BT下载软件FDM进行下载）软件下载地址页直链下载[便捷但速度慢]  [在线试读本书]   [在线获取解压码]
点击复制MD5值：480afdde0ef4b56c21409000f1654a7e

下载说明

硅中缺陷与器件质量 半导体材料学进展译文集PDF格式电子书版下载

下载的文件为RAR压缩包。需要使用解压软件进行解压得到PDF格式图书。

点击复制85GB完整离线版磁力链接到迅雷FDM等BT下载工具进行下载  详情点击-查看共享计划
建议使用BT下载工具Free Download Manager进行下载,简称FDM(免费,没有广告,支持多平台）。本站资源全部打包为BT种子。所以需要使用专业的BT下载软件进行下载。如BitComet qBittorrent uTorrent等BT下载工具。迅雷目前由于本站不是热门资源。不推荐使用！后期资源热门了。安装了迅雷也可以迅雷进行下载！

（文件页数 要大于 标注页数，上中下等多册电子书除外）

注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具

图书目录

目录1

硅材料特性和器件功能之间的关系1

硅衬底中的缺陷13

用预氧化吸收来消除硅片的氧化诱生堆垛层错Ⅰ．磷扩散诱生失配位错39

用预氧化吸收来消除硅片的氧化诱生堆垛层错Ⅱ．Si3N4工艺46

用预氧化吸收来消除硅片的氧化诱生堆垛层错Ⅲ．缺陷腐蚀坑与P-N结漏电流的关系55

硅中氧化诱生堆垛层错一、成核现象63

硅中氧化诱生堆垛层错二、在P-N结二极管中的电效应77

硅中硅氧化物的非均相沉淀98

退火硅表面的堆垛层错109

硅器件中工艺诱生缺陷和软P-N结之间的关系117

硅片退火对环状缺陷产生的影响122

堆垛层错对场效应管器件漏电流的影响133

硅光导型摄象管中晶格缺陷引起的图象损坏138

吸收和位错146

显示〈100〉硅晶体缺陷的化学腐蚀的比较155

显示硅单晶中缺陷的一种新的择优腐蚀液163

封闭舟：一种硅片成批处理的新方法171

热门推荐