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第1章 概论1

1.1 硅材料工业的发展1

1.2 半导体市场及发展2

1.3 中国新建、扩建多晶硅厂应注意的问题3

本章小结5

习题6

第2章 半导体材料的基本性质7

2.1 半导体材料的分类及性质7

2.2 硅的物理化学性质9

2.3 硅材料的纯度及多晶硅标准11

本章小结12

习题13

第3章 晶体几何学基础14

3.1 晶体结构14

3.2 晶向指数16

3.3 晶面指数17

3.4 立方晶体17

3.5 金刚石和硅晶体结构19

3.6 倒格子22

本章小结23

习题24

第4章 晶体缺陷25

4.1 点缺陷25

4.2 线缺陷28

4.3 面缺陷32

4.4 体缺陷33

本章小结34

习题34

第5章 能带理论基础35

5.1 能带理论的引入35

5.2 半导体中的载流子37

5.3 杂质能级38

5.4 缺陷能级40

5.5 直接能隙与间接能隙40

5.6 热平衡下的载流子41

本章小结47

习题47

第6章 p-n结49

6.1 p-n结的形成49

6.2 p-n结的制备50

6.3 p-n结的能带结构51

6.4 p-n结的特性52

本章小结53

习题53

第7章 金属-半导体接触和MIS结构54

7.1 金属-半导体接触54

7.2 欧姆接触58

7.3 金属-绝缘层-半导体结构（MIS）59

本章小结61

习题62

第8章 多晶硅材料的制取63

8.1 冶金级硅材料的制取63

8.2 高纯多晶硅的制取64

8.3 太阳能级多晶硅的制取66

本章小结67

习题67

第9章 单晶硅的制备68

9.1 结晶学基础68

9.2 晶核的形成70

9.3 区熔法73

9.4 直拉法77

9.5 杂质分凝和氧污染85

9.6 直拉硅中的碳90

9.7 直拉硅中的金属杂质92

9.8 磁拉法95

9.9 CCz法99

本章小结103

习题103

第10章 其他形态的硅材料104

10.1 铸造多晶硅104

10.2 带状硅材料116

10.3 非晶硅薄膜118

10.4 多晶硅薄膜121

本章小结124

习题124

第11章 化合物半导体材料125

11.1 化合物半导体材料特性125

11.2 砷化镓（GaAs）126

本章小结136

习题136

第12章 硅材料的加工137

12.1 切去头尾137

12.2 外径滚磨139

12.3 磨定位面（槽）140

12.4 切片141

12.5 倒角（或称圆边）144

12.6 研磨145

12.7 腐蚀147

12.8 抛光148

12.9 清洗152

本章小结154

习题155

附录156

附录A 常用物理量156

附录B 一些杂质元素在硅中的平衡分凝系数、溶解度156

附录C 真空中清洁表面的金属功函数与原子序数的关系157

附录D 主要半导体材料的二元相图157