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目录1

1.1 印制线路板的发展经历1

1.1.1摇篮期1

1.1.2发展期6

1.1.3多层板期7

1.1.4积层多层板期12

1.2 多层印制电路板的种类及结构14

1.2.1 PCB和PWB14

1.2.2 PCB的分类15

1.2.3立体连接方式18

1.2.4多层印制电路板的结构18

1.3 多层印制电路板的电气特征23

1.3.1导体电阻24

1.3.2绝缘电阻26

1.3.3特性阻抗及传输速度28

1.3.4交调噪声34

1.4 电镀通孔多层印制线路板35

1.3.5电磁波屏蔽及其他特性35

1.4.1电镀通孔工艺36

1.4.2减成法38

1.4.3加成法41

1.4.4盲孔、埋孔层间连接43

1.4.5顺次积层法44

1.5积层多层印制线路板45

1.5.1 电镀方式各种积层法的比较47

1.5.2涂树脂铜箔方式47

1.5.3热固性树脂方式49

1.5.4感光性树脂方式50

1.5.5其他采用电镀的积层方式52

1.5.6采用导电浆料的积层方式52

1.5.7一次积层工艺55

1.5.8芯板及表面的平坦化55

1.5.9多层间的连接方式56

1.6 电子基板产业的发展战略58

1.6.1电子基板产业发展的三个方面58

1.6.2战略性开发的把握59

1.6.3工艺性开发的把握64

2.1电子封装的基本概念68

2.1.1定义68

第2章高密度电子封装68

2.1.2范围70

2.1.3功能75

2.1.4分类77

2.2 电子封装发展的驱动力及发展概况89

2.2.1电子封装技术发展简介89

2.2.2带动电子封装发展的第一个车轮——半导体芯片性能的不断提高92

2.2.3 带动电子封装发展的第二个车轮——电子设备迅速轻、薄、短、小化94

2.2.4电子封装技术领域中的两次重大变革98

2.2.5 电子封装的发展动向及第三次重大变革104

2.3 电子封装的技术课题116

2.3.1信号的高速传输116

2.3.2高效率冷却117

2.4从电子封装技术到电子封装工程118

2.4.1 电子封装技术的体系与范围118

2.3.4防止电磁波干扰技术118

2.3.3高密度化118

2.4.2电子封装工程的主要课题120

2.4.3电子封装材料124

2.5多芯片组件（MCM）124

2.5.1 MCM的历史、种类及其特征124

2.5.2 MCM的制作工艺——以MCM-D为例130

2.5.3 MCM的发展趋势132

2.6.1 CSP的定义及特征134

2.6 CSP——芯片级封装134

2.6.2挠性基板μBGA141

2.6.3 陶瓷封装基板LGA型CSP（C-CSP）142

2.6.4薄膜型CSP144

2.6.5少端子CSP——BCC148

2.6.6 D2BGA型CSP150

2.6.7叠片式CSP152

2.6.8 Super CSP和MOST155

2.6.9 CSP的最新进展及发展动向160

2.6.10 CSP有待研究和开发的课题168

2.7.1三维封装的分类169

2.7.2封装叠层的三维封装169

2.7三维封装169

2.7.3芯片叠层的三维封装171

2.7.4硅圆片叠层的三维封装172

2.8半导体封装技术的发展趋势173

2.8.1封装的作用及电子封装工程的地位173

2.8.2半导体封装技术的现状及动向175

2.8.3主要半导体封装技术的发展趋势178

2.8.4今后的课题183

3.1.1作为陶瓷基板应具备的条件186

3.1陶瓷基板概论186

第3章无机封装基板186

3.1.2陶瓷基板的制作方法188

3.1.3陶瓷基板的金属化193

3.2各类陶瓷基板195

3.2.1氧化铝基板195

3.2.2莫来石基板202

3.2.3氮化铝（AIN）基板204

3.2.4碳化硅（SiC）基板210

3.3低温共烧陶瓷（LTCC）多层基板213

3.2.5氧化铍（BeO）基板213

3.3.1LTCC基板应具有的性能215

3.3.2玻璃陶瓷材料216

3.3.3 LTCC的制作方法及烧结特征219

3.3.4 LTCC多层基板的应用224

3.3.5LTCC多层基板的发展动向230

3.4其他类型的无机基板232

3.4.1 LCD用玻璃基板232

3.4.2 PDP用玻璃基板233

3.5复合基板235

3.5.1复合基板（Ⅰ）——功能复合236

3.5.2复合基板（Ⅱ）——结构复合240

3.5.3复合基板（Ⅲ）——材料复合245

第4章高密度封装基板及其新课题249

4.1 高密度封装基板在携带型电子产品中的应用249

4.1.1在移动电话中的应用250

4.1.2在笔记本电脑中的应用268

4.1.3在携带型摄像机中的应用273

4.2.1导体尺寸的微细化282

4.2高密度多层基板中的精细工艺技术282

4.2.2导体尺寸的精度化285

4.2.3加工技术的精细化控制和自动化生产286

4.2.4实用高密度封装基板举例288

4.3高频基板材料300

4.3.1高频PCB市场的新发展300

4.3.2影响基板材料介电特性的主要因素303

4.3.3高频用各类树脂基板材料的性能和特点312

4.3.4高频基板材料的未来发展320

4.4.1绿色基板问题的提出321

4.4绿色基板材料321

4.4.2聚合物阻燃机理及阻燃剂323

4.4.3绿色CCL的开发思路和技术路线331

4.4.4无卤化涂树脂铜箔和半固化片材料335

4.5电子封装中的无铅化338

4.5.1世界范围内电子封装无铅化趋势338

4.5.2日本的无铅化现状342

4.5.3无铅焊料及钎焊工艺344

4.5.4导电胶连接技术347

4.6.1纳米复合材料技术的迅速发展350

4.5.5积极应对无铅化的发展形势350

4.6纳米材料在封装基板中的应用350

4.6.2在覆铜板制造技术中应用的发展趋势351

4.6.3纳米高分子复合材料在性能上的提高353

4.6.4中国台湾纳米材料在覆铜板中应用的研究成果356

4.7 印制线路板制造技术10年内的发展预测359

4.7.1对印制线路板制造技术的要求359

4.7.2适应高密度封装、高速及高频信号的使用要求360

4.7.3适应无卤化的要求363

4.7.4适应埋入无源及有源器件的系统集成封装的要求365

4.7.5适应搭载新功能器件的要求367

4.7.6适应低价格的要求368

4.7.7适应更短供货期的要求369

第5章封装用一般有机基板材料371

5.1有机封装基板材料的发展371

5.1.1有机封装基板371

5.1.2有机封装基板材料的发展特点372

5.2.2主要性能要求373

5.2对基板材料的主要性能要求373

5.2.1与陶瓷材料相比的特点373

5.2.3不同类型封装对基板材料性能需求的侧重点374

5.3有机封装基板用基板材料的分类与主要标准375

5.3.1概述375

5.3.2有机封装基板用基材的分类376

5.3.3 主要标准378

5.4制造基板材料的主要原材料393

5.4.1铜箔393

5.4.2玻璃纤维布402

5.4.3芳酰胺纤维无纺布405

5.5一般环氧玻璃布基的基板材料408

5.5.1概述408

5.5.2制造用主要化工原材料409

5.5.3制造中的工艺技术415

5.5.4环氧玻璃布基半固化片427

5.6高Tg、低α、低ε性树脂的基板材料432

5.6.1聚酰亚胺树脂的基板材料432

5.6.2 BT树脂的基板材料440

5.6.3 PPE树脂的基板材料452

第6章带载型封装用挠性基板材料461

6.1 引言461

6.2挠性覆铜箔聚酰亚胺薄膜基材462

6.2.1挠性覆铜箔基材的产品结构462

6.2.2聚酰亚胺薄膜463

6.2.3有胶粘剂型与无胶粘剂型挠性覆铜箔板468

6.3.2产品主要性能477

6.3.1产品概述477

6.3卷状环氧玻璃布基挠性覆铜箔板477

6.4液晶聚合物覆铜箔板479

6.4.1液晶聚合物将成为未来封装用新型基材479

6.4.2 LCP的主要特性480

第7章封装用积层多层板基材486

7.1概述486

7.1.1分类486

7.1.2各类基材在制造BUM中的工艺过程487

7.1.3经济性对比487

7.1.4基材所用树脂488

7.1.5绝缘层形成的工艺方法490

7.2感光性绝缘材料491

7.2.1基材特性491

7.2.2产品形态492

7.2.3产品品种与性能493

7.2.4树脂体系及其性能保证493

7.3热固性树脂材料497

7.3.1基材特性497

7.3.3树脂体系及其性能保证498

7.3.2产品品种与性能498

7.4附树脂铜箔基材500

7.4.1基材特性500

7.4.2与RCC相关的IPC标准502

7.4.3产品品种与性能504

第8章高密度互连多层板芯板制造技术513

8.1机械钻微小孔技术513

8.1.1机械钻微小孔面临着挑战513

8.1.2机械钻微小孔的策略513

8.1.3机械钻孔生产率与成本518

8.2精细导线／间距技术522

8.2.1薄或超薄铜箔基材的精细表面处理522

8.2.2薄型抗蚀剂529

8.2.3精细图形底片537

8.2.4曝光与显影541

8.2.5激光刻像技术554

8.2.6蚀刻技术556

8.2.7精细线宽／间距的AOI检测563

8.3薄型化技术564

8.3.1薄型多层板565

8.3.2薄型基板材料566

8.3.3薄型基板材料的处理技术569

8.3.4卷式滚筒生产571

8.4微小孔互连结构技术572

8.4.1埋／盲孔互连结构572

8.4.2在连接盘中设置导通孔和堵塞通孔577

8.5孔化电镀技术582

8.5.1直接电镀技术582

8.5.2脉冲电镀技术586

8.5.3全板电镀594

8.6电气测试技术595

8.6.1针床测试596

8.6.2移动探针测试600

8.6.3通用无夹具测试606

8.6.4电子束测试610

第9章高密度互连积层板制造技术614

9.1制造工艺概况614

9.1.1 BUM工艺的提出615

9.1.2 BUM制造技术概述620

9.1.3 BUM导通孔形成方法概述621

9.2激光成孔623

9.2.1 CO2激光烧蚀微小孔624

9.2.2 UV激光蚀刻微小孔632

9.3光致成孔640

9.3.1液态感光绝缘树脂材料形成导通孔工艺640

9.3.2干膜感光绝缘树脂材料形成导通孔工艺646

9.3.3液态和干膜感光绝缘树脂材料的优点对比648

9.4.1等离子体及应用650

9.4等离子体成孔650

9.4.2等离子体蚀刻导通孔工艺651

9.4.3等离子体蚀刻微导通孔的控制与特点654

9.5射流喷砂成孔655

9.5.1射流喷砂法制造微小孔原理655

9.5.2工艺、设备和材料656

9.5.3结果与特点659

9.6.1微孔孔化与电镀的特征660

9.6 BUM的孔化与电镀660

9.6.2微孔孔化电镀661

9.6.3微盲孔的孔化与电镀效果662

9.7 ALⅣH技术制造高密度互连的积层多层板665

9.7.1无芯板的BUM665

9.7.2 ALIVH的制造工艺667

9.7.3 ALIVH的特性与发展672

9.8 B2it技术制造高密度互连的积层多层板674

9.8.1 B2it的制造工艺674

9.8.2 B2it结构的BUM类型676

9.8.3 B2it板的特点677

9.8.4 B2it板的性能测试与评价679

9.8.5结论679

9.9高密度互连积层多层板的可靠性680

9.9.1 BUM的微孔互连结构680

9.9.2 BUM的可靠性测试680

9.9.3 BUM可靠性的测试结果682

9.10 PCB的平整度和表面涂敷技术690

9.10.1 PCB平整度（或翘曲度）691

9.10.2可焊性表面涂敷695

第10章特性阻抗和集成元件板711

10.1 PCB的特性阻抗高精度控制711

10.1.1 PCB特性阻抗的提出711

10.1.2 PCB中特性阻抗的设计714

10.1.3特性阻抗对基板材料的要求721

10.1.4PCB加工对Z0的影响725

10.1.5特性阻抗值Z0的测试735

10.2.1外部的电磁干扰738

10.2电磁干扰和电磁兼容738

10.2.2内部的电磁干扰739

10.3集成元件印制板741

10.3.1集成元件印制板的提出742

10.3.2平面电阻（电容）材料与结构742

10.3.3平面电阻的制造工艺745

10.3.4平面电阻的可靠性748

10.3.5集成元件印制板的优点与未来751

10.4.1后SMT和后SoC封装技术754

10.4元件全部埋入基板内部的系统集成封装754

10.4.2电子元器件及封装的发展动向756

10.4.3片式元件向陶瓷复合制品方向发展758

10.4.4芯片硅基板上也能集成无源元件760

10.4.5埋置元件的基板正推广到有机系统761

10.4.6埋置有源及无源器件的系统集成封装基板已有产品问世766

10.4.7需要解决的问题768

附录A高密度多层基板技术常用缩略语770

附录B常用计量单位（新旧）对照换算793

参考文献795